5月9日，韩国媒体《Edaily》发表文章称，美国越是向中国施压，中国的技术独立速度就越快。尤其是在韩国占据主导地位的高带宽存储器（HBM）方面，中国设定了明年实现70%自给率的目标。

美国政府限制英伟达向中国出口低规格AI加速器H20。H20是一款中国专用AI加速器，在满足美国政府监管标准的前提下，英伟达可以合法供应给中国。据悉，美国政府还通知AMD和英特尔，如果要向中国客户销售部分AI加速器，必须获得许可。

为了应对美国的这种压力，中国正在全力实现半导体自给自足。中国正致力于开发用于AI加速器的HBM技术，并设定了明年实现HBM自给率70%的目标。

据了解，目前包括长鑫存储、武汉新芯在内的中国存储器企业正在研发并量产第二代HBM——HBM2。尤其是长鑫存储的追击速度非常惊人。长鑫存储与封装公司通富微合作开发HBM样品并将其交付给华为等公司。长鑫存储原计划明年量产HBM2，但去年下半年就成功量产，比原计划提前了两年。目标是明年研发并量产第四代HBM3，2027年量产第五代HBM3E。中国HBM也可能在2-3年内搭载在华为的AI加速器昇腾系列上。

中国去年5月启动国家集成电路产业投资基金第三期，决定投资3440亿元人民币，为历来最大投资额。预计相当一部分投资资金将用于HBM开发。投资规模旨在从简单的制造扩展到整个半导体行业，包括先进技术、设备、材料和设计，并提高自给自足的能力。

中国正在迅速缩小HBM技术差距，通过国内优秀高校、企业、科研院所合作，推动核心技术和关键零部件国产化。HBM全球前50名研究人员中，中国研究人员达到19人。看起来，来自美国的压力实际上正在提高中国在半导体方面的自给自足能力。

韩国半导体的担忧预计将进一步加深，从今年开始，H20所采用的HBM将是第五代HBM3E 8层，由SK海力士供应。目前，由于美国制裁，三星电子和SK海力士无法直接向中国供应HBM，而是间接向英伟达H20等供应。韩国汉阳大学白瑞仁教授解释说，“长鑫存储的技术发展速度非常快，随着时间的推移，中国和韩国企业之间可能会围绕HBM展开竞争。”

随着美国的压力加大，韩国企业减少对华销售似乎是不可避免的。除了传统的DRAM和NAND 闪存之外，中国在HBM方面的自给自足可能会改变全球半导体行业格局。